KILNSQ1300系列箱式气氛炉广泛应用于实验室、工矿企业、科研单位的前期实验,还原气氛、惰性气氛、氢氮混合气氛等多种类型,额定温度分别为1000℃、1200℃、1300℃、1500℃、1600℃,根据不同的气氛,不同的温度,使用不同的加热元件,型号齐全,安全可靠,同时也可满足于不同工艺实验而特殊制造。
KILNSQ1300系列箱式气氛炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和日本岛电32段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,采用外壳整体密封、盖板密封采用硅胶泥、炉门采用硅胶垫并通有水冷系统,气体经过流量计后由后膛进出,有多处洗炉膛进气口、出气口处有燃烧嘴,可以通氢气、氩气、氮气、氧气、一氧化碳、氨分解气等气体,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点,是高校、科研院所、工矿企业做气氛保护烧结、气氛还原用的理想产品。
二、KILNSQ1300系列气氛电阻炉规格型号
型号 |
工作室尺寸
(mm)l×d×h |
功率
(kw) |
最高温度℃ |
加热元件 |
电压 |
升温速率 |
外形尺寸
(mm)l×d×h |
KILNS-4-13Q |
200×150×150 |
4 |
1400℃ |
硅碳棒 |
220v |
≤20℃/min |
550*450*700 |
KILNS-6-13Q |
300×200×200 |
6 |
1400℃ |
硅碳棒 |
220v |
≤20℃/min |
650*500*750 |
KILNS-8-13Q |
300×250×250 |
8 |
1400℃ |
硅碳棒 |
380v |
≤20℃/min |
650*550*800 |
KILNS-10-13Q |
400×300×300 |
10 |
1400℃ |
硅碳棒 |
380v |
≤20℃/min |
750*600*850 |
KILNS-16-13Q |
500*400*400 |
16 |
1400℃ |
硅碳棒 |
380v |
≤20℃/min |
冰箱柜式 |
硅碳棒是陶瓷制品,在运输过程中可能会因撞击等发生损坏,所以请到货时迅速开箱确认是否有损坏,万一有损坏等不希望的情况发生,请不要直接用手接触破损面以防被锐角弄伤,建议先戴上手套。同时请速与我公司售后服务部联系,因货物运送都有保险,确认损坏后要履行一些保险手续。 |
硅碳棒在炉中使用时,同一回路的硅碳棒尽量保持相同电阻值。因不同阻值的硅碳棒在同一回路中使用时,每个硅碳棒的负荷不同,导致电阻高的硅碳棒负荷集中,寿命变短。换硅碳棒时,建议同一回路的硅碳棒全部调换,如果旧的硅碳棒还能再使用的话,将其组装在同一回路。 |
使用中的硅碳棒,因通电时有触电的危险,且升温中硅碳棒温度高有烧伤的危险,所以请勿用手接触硅碳棒表面。更换硅碳棒时,必须切断电源后再进行更换作业,且必须戴上耐热手套 进行操作。 |
选择硅碳棒时要注意炉内尺寸与发热部长度一致,如果发热部长度比炉内尺寸短的话,接着部处在炉内的高温区域内,会使硅碳棒提早老化、熔接强度下降,有可能引起折断现象。相反,如果发热部长度比炉内尺寸长,有可能使炉壁或绝热层过度受热而有损伤。总之,请慎重确认后再选定发热部长度。 |
硅碳棒的安装孔的大小参考右表 |
硅碳棒直径 (单位mm) |
炉壁厚度 |
150mm以内 |
250mm以内 |
250mm以上 |
12 |
20 |
25 |
— |
14 |
20 |
30 |
30 |
16 |
25 |
30 |
35 |
20 |
30 |
35 |
40 |
25 |
35 |
40 |
45 |
30 |
40 |
45 |
50 |
35 |
45 |
50 |
55 |
40 |
55 |
60 |
65 |
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在将硅碳棒装入电气炉的插孔前,须先用不同直径的棒检查两侧的插孔是否水平 |
硅碳棒贯通孔(mm) |
检查管(mm) |
20 |
18 |
25 |
22 |
30 |
28 |
35 |
32 |
40 |
38 |
45 |
42 |
50 |
48 |
55 |
51 |
60 |
56 |
65 |
61 |
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安装孔与硅碳棒之间须用保温棉填充,但又不能填充得过紧,要确保硅碳棒有一指活动距离。因为随着硅碳棒温度的升高,耐火砖发生热膨胀,如果不留距离会使硅碳棒产生应力、热体部或接着部提早损坏。保温棉大约按以下数值称取。 |
硅碳棒直径(mm) |
塞每10根硅碳棒塞保温棉的重量(g) |
14~16 |
15 |
16~25 |
20 |
30~35 |
25 |
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安装铝编带和夹子时,请不要使之与炉壁接触,否则易造成短路。而且铝编带要留一手指的间隙。如果间隙不够,在升温硅碳棒可能折断。接线结束后,用指尖碰一下硅碳棒,确认是否能自由运动,然后才能开始通电操作。 |
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硅碳棒的安装方法示意 |
硅碳棒在空气中被加热后,表面形成致密的氧化硅膜,变成抗氧化的保护膜,起到延长寿命的作用 |
硅碳棒在氧化气氛中使用会逐渐氧化生成二氧化硅,随之电阻逐渐增加导致硅碳棒老化,此外也与材料老化性能有关。氧化反应方程式如下:SiC+2O2 → SiO2+CO2
碳化硅在空气中与氧气(O2)反应,随着二氧化硅(SiO2)数量的增加,硅碳棒表面逐步氧化,引起阻值增大。当温度达到800℃时出现氧化反应,温度越高反应越快。这种氧化过程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜,氧化反应较快,电阻增加尤为显著,随后反映的进行,当在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后,进入电阻稳定区。之后随着时间的增加,导电层逐渐减少,绝缘层逐渐增加,硅碳棒的内部产生局部过热,电阻快速增加。一般情况下当阻值达到初始阻值的约3倍时,硅碳棒的寿命达到极限(而螺旋棒却不同,要达到其初始阻值的约1.7倍)。这是因为当阻值增加到其3倍时,每根棒发热分布不均匀,从而导致炉内温度分布不均匀。当硅碳棒寿命将尽时,不但阻值会增加而且会因气孔率的变化、强度变化等原因发生断棒事件。
????
硅碳棒的寿命还因1使用温度2表面负荷密度3炉内处理物的气氛及材料4炉子运行方式5接线方法的不同而有所不同,具体说明如下:
1
|
硅碳棒温度越高寿命越短。特别是在炉膛温度超过1400℃以后(SH和SL型,而螺旋棒在1600℃),氧化速度加快,硅碳棒的使用寿命变短,所以请尽量不要让硅碳棒表面温度过高,即有必要缩小炉膛温度与硅碳棒温度之差。 |
2
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表面负荷密度指棒的发热部单位表面积所允许承载的额定功率。 |
? |
表面负荷密度=额定功率(W)/ 发热部表面积(cm2) |
? |
????实践证明:负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。负荷密度大则棒体表面温度高,电阻增长快,SIC棒的寿命短。因此,硅碳棒表面温度负荷密度、炉内气氛、温度与SIC棒老化速度成正比,与SIC棒的寿命成反比。 |
? |
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? |
炉膛温度与表面负荷密度的关系 |
? |
图示的使用范围曲线为表面负荷密度临界线,实际情况下请保持临界线的1/2—1/3的表面负荷。硅碳棒的额定值在冷端部已有标注,此额定电流是据日本JIS技术说明在空气中表面温度为1000±50℃时测定的,此时表面负荷密度为15W/cm2左右。请注意如果按额定电压、电流给硅碳棒通电将造成硅碳棒超负荷。 |
3
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在烧成中与处理物挥发出来的各种化学物质之间的反应也同样需要注意。在实际高温使用过程中,硅碳棒如果与水、氢、氮、硫、卤素等气体及熔融的铝、碱、盐、熔融金属、金属氧化物接触的话,也会发生反应、腐蚀或氧化现象。 |
4
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电气炉昼夜连续运转与间断运转相比,前者的寿命较长。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅皮膜。长时间使用使二氧化硅皮膜增加,硅碳棒阻值也随之增加。此二氧化硅皮膜在结晶临界点(270℃)附近发生异常膨胀、收缩。因间断使用总在此温度上下浮动,所以反复破坏皮膜、加速氧化。所以停电炉温降至室温时经常急剧增加电阻。 |
5
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如果硅碳棒阻值不同,串联时电阻高的硅碳棒负荷较集中,易导致某一根硅碳棒的电阻快速增加,寿命变短。硅碳棒一般是串、并联接线结合使用。建议采用2根串联为一组后多组并联。特别当炉内温度超过1350℃时必须并联。三相接线时建议使用开放三角形接线。 |
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近年来,随着需控制炉内气氛要求的增加,关于在不同气氛中使用硅碳棒的注意事项也变得越来越重要。而且,在烧成中与处理物挥发出来的各种化学物质之间的反应也同样需要注意。所以,针对特殊气氛和腐蚀性物质,我公司开发了各种防止硅碳棒快速老化的涂层。选用适当的涂层可以延长硅碳棒的寿命。无论在哪种气氛中都最好让表面负荷尽量小。 |
不同气氛对硅碳棒的影响 |
气氛 |
影响 |
对策 |
水蒸气和湿气 |
比在干燥大气中的使用寿命缩短1/5 |
新炉子试运行或者旧炉子长时间不工作再使用时,要先低温充分干燥后再升温。 |
氢气 |
硅碳棒温度上升到1350℃以后电阻急速增加,机械强度也下降。而且根据气体干湿的不同寿命也差别很大。 |
建议在炉内温度为1300℃以下的状态下使用。表面负荷尽量小(5W/cm2)。 |
氮气 |
温度超过1400℃时氮气与碳化硅反应生成氮化硅,使硅碳棒变脆,寿命缩短。受露点的影响与氢气的状况相同 |
建议在炉内温度为1300℃以下的状态下使用。表面负荷尽量小(5W/cm2)。 |
氨气(H275%)、(N225%) |
与氢气、氮气的状况相同。 |
建议在炉内温度为1300℃以下的状态下使用。表面负荷尽量小。 |
分解反应气体(N2、CO、CO2、H2、CH2混合物) |
加热过程中硅碳棒表面附着分解后的碳黑,造成棒体疏松。 |
经常向炉内输送空气,让多余的碳燃烧。在炉子构造方面,保持硅碳棒间足够的间隔以防止短路。 |
硫(S、SO2) |
硅碳棒温度升到1300℃以后,硅碳棒表面被侵蚀、电阻急剧增加。 |
将硅碳棒温度控制在1300℃以下。 |
其他 |
由被处理物产生的各种物质,如铅、锑、碱金属的化合物与硅碳棒反应,使其寿命缩短。 |
预先将这些物质从处理物中除掉,炉内设排气口以便减弱其影响。 |
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1100度箱式马弗炉 1350度箱式马弗炉 1650箱式马弗炉
氮气箱式马弗炉 ≤850℃ ≤1200℃ ≤1500℃ 氢气箱式马弗炉 ≤800℃ ≤1150℃ ≤1650℃
氩气箱式马弗炉 氧气箱式马弗炉 二氧化碳气氛马弗炉
磷酸铁锂煅烧回转窑 高岭土煅烧处理回转炉 纳米SI02粉体煅烧回转电窑炉
ALSIC基片烧结钟罩炉/升降炉 陶瓷滤芯氮气保护钟罩炉/升降炉 氩气保护钨合金烧结钟罩炉/升降炉
磷酸铁锂预烧网带窑炉 玻璃或陶瓷与金属封接、钎焊、退火网带炉 二极管的退火氮气气氛网带炉 钢带的热处理网带炉
微晶玻璃退火辊道炉 钴酸锂粉料辊道窑炉 磁性材料粉料电辊道窑炉
磷酸铁锂推板炉 石墨负极材料隧道炉 三元材料推板炉 富锂锰基正极材料推板炉 氮钒合金烧结炉
LED三色基荧光粉推板炉 碳化硅基板烧结推板炉 氧化镁管的烧成炉 CoCO3煅烧推板炉 避雷器预烧炉
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